MPF2007：微处理器技术展望

    Intel负责万亿级计算项目研究的主管Jim Held表示，Intel也在研发万亿次计算技术。该技术能使处理器拥有80个处理器内核，这有利于提高并行处理的灵活性或同时执行多任务的能力。

    Held还表示，万亿次计算是否真正有用依赖于软件和内存的研究能否与之保持同步。Intel另一位研究者Ravi Iyer解释了多级缓存技术，该技术可使芯片根据待处理数据流的重要性来决定是否将其存放在芯片缓存中。

    AMD院士Maurice Steinman表示，AMD公司正在研究移动处理平台技术，它的Griffin处理器，配合Puma平台，可以在空闲时降低系统功耗。

    NTT DoCoMo:成功需要关键设备

    NTT DoCoMo美国分公司通讯实验室高级副总裁Eisuke Miki在主题报告中称，那些决定运营商在移动通讯市场成败的设备才是关键设备。

    他表示，在与移动服务有关的市场，手机是消费者能接触的唯一设备，因此全球的运营商必须提供一个具有强大吸引力和较好性价比的基于全球战略意义的设备。而及时利用超精细加工工艺和低功耗技术开发低成本的大规模集成电路(LSI)设备将有利于降低最终产品的成本。Miki还表示，必须加强LSI设备开发和核心软件开发中的协作。他认为，开发一个通用平台将更有利于更加高效地开发手持终端设备。

    Miki表示，从目前的通信技术过渡到可以保证1Gbps数据传输速度的4G通信技术的真正实现，还需要很多年的时间。而NTT DoCoMo公司做此项研究的技术实验室自从2002年12月进行第一次分组传输实验开始，就已经开始了这方面的研究工作。其后，该公司完成了其他领域的实验，并且在2006年12月成功进行了5Gbps的分组传输实验。

    Miki认为，在到达4G之前，Super 3G技术备受期待。该技术的基本目标是满足用户在高带宽传输和服务质量方面的需求，同时也提供一个向4G平滑过渡的平台。

    Miki表示，Super 3G技术的无线访问要求能克服以前在传输方面存在的各种制约因素。这不仅仅表现在数据传输速度、传输尺寸和平均性能方面，而且将重点放在低延迟的实现方面。

    Super 3G技术具有一个至关重要的优势：就是它使用现存的3G频谱。因此在此基础上做进一步的改进和提高，可以使运营商能维持长期的竞争态势。

    对于Super 3G的标准化，Miki表示，尽管很多公司现在极力支持这项技术，但是最终达成一致还是花了很长的时间。实际上，在2006年6月，该技术基础系统的概念和性能评估就已经完成了。2006年6月，3G工作组已经同意将工作转入工作项(Work Item)阶段，并且限定在2007年9月完成详细规范的制定工作。

    链 接:Denso：汽车世界的处理器革命

    在5月24日下午的主题报告中，日本汽车设备制造商Denso公司研发中心高级经理Hideaki Ishihara 描绘了一幅未来世界的生动画面，那是一个被集成了各种微处理器的汽车所充斥的世界。

    “将来，通过使用声音、图像和生物技术，交通工具中的人机界面将会得到极大的改善。”Ishihara在介绍Denso公司采用新技术的交通系统视觉技术时说，“高速公路也将配备高速公路辅助导航系统(Advanced cruise-assist Highway System，AHS)来支持新的交通工具。”他总结道：“这将降低交通拥塞，提供安全、环保、舒适的驾驶体验，这将是Denso公司的目标。”

    为了实现安全畅通的交通运输，Ishihara详细介绍了未来微处理器或嵌入式计算机在汽车稳定性、导航、安全气囊以及撞击预测中的应用情况。

    抵达美好的彼岸并非没有阻碍。Ishihara承认多核技术并不是汽车系统中所必需的——虽然该技术对于需要高性能处理的导航系统是很有用的。但是对于多数基础应用，像汽车中的传感器、传动器、动力控制和安全气囊系统，则不需要多核处理器。

    不过Ishihara也认为，汽车领域的处理器革命正在到来，并且只有最适合的技术才会取得成功。“汽车嵌入式系统的数量将会随着未来自动化驾驶社会的到来而迅速增加”，Ishihara总结道，“满足专用需要的微处理器将主导未来的汽车市场。”

    链 接:Intel: 45nm工艺的高k介电材料技术

    始终坚定追随摩尔定律的Intel公司，大力支持将高k介电材料与金属栅极作为通向更小制造工艺的最佳途径。

    “我们已经真正进入了一个制程缩小(Process Scaling)的新纪元。”Intel高级副总裁Mark Bohr在主题报告中说道，“继续前进，处理器设计不仅是一个标度指数的问题，而是关于新结构和新物质应用的问题。”

    当处理器的线宽变得越来越窄时，如何防止处理器的漏电将变得越来越关键。为了继续摩尔定律所预测的因较小尺寸的处理工艺带来的优势，Bohr认为，防止晶体管电量泄露的新方法是非常关键的。Intel已经决定采用改变现有标准晶体管设计的两种关键方法去防止电量泄漏：在硅衬底和低电阻层之间用铪基高k材料取代二氧化硅，采用金属代替多晶硅作为栅极材料。

    Bohr说，高k介电材料与金属栅极的组合能使晶体管驱动电流增加1/5，使源极-漏极漏电降低到原先的1/5，同时使栅氧化层电泄漏降低到原先的1/10。

    这种改进晶体管的设计不仅仅只停留在实验室实验阶段。Bohr表示，Intel已经有一个45nm生产线来满足目前的可靠性要求，并且可以量产。预计Intel今年下半年将推出采用新型材料的45nm工艺处理器。

    为了进一步强调Intel在采用高k介电材料实现更小的加工工艺方面的优势，Bohr将其与IBM Airgap技术作对比，Airgap技术采用真空来代替硅和高k栅极材料。

    Bohr说：“IBM没有完全公布Airgap技术存在的许多问题。由于该技术需要使用一种特殊的掩模，采用该技术将是非常昂贵的。另外，采用真空互连较之采用能跟晶体管铜线互连的绝缘材料相比，可靠性要差一些。”

    互连中的成本和可靠性问题是非常重要的，并且，他不认为采用真空作为介质可以解决这些问题。他认为低k的绝缘材料比采用真空作为介质的技术更有前景，目前他们也正在寻找类似的材料。

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