惠普研发记忆电阻芯片，兼具存储和运算功能

    腾讯科技讯（编译/晁晖）北京时间4月9日消息，据国外媒体报道，惠普今天披露了“记忆电阻”研究项目的信息。业内分析师认为，这一技术将对计算机和个人设备产生极大影响。

    尽管记忆电阻的初衷是扩大设备的存储容量，但惠普的研究人员发现，这一技术也可以用于逻辑运算。这意味着，未来6至8年内记忆电阻器芯片可以同时处理存储和逻辑运算任务。分析师称，这将给计算机产业带来重大变化。

    加百利咨询集团分析师丹·奥兹(Dan Olds)表示，记忆电阻器可能会“颠覆”计算世界，因为采用这一技术的芯片可以同时充当存储装置和处理器，与大脑的神经节相似。与传统计算机相比，新型计算机在执行模式识别等任务时的速度要快得多。由于具有存储能力，新型计算机的“学习”能力要高于当前的系统。

    惠普高级研究人员斯坦·威廉斯(Stan Williams)表示，记忆电阻器技术尚处于研究阶段，将被添加到芯片中。他指出，尽管今天有媒体称记忆电阻器能够取代晶体管，但实际情况并非如此。记忆电阻器与晶体管相辅相成。威廉斯在接受采访时说，“记忆电阻器是晶体管电路的增压器，我们目前开发的电路混合使用了记忆电阻器和晶体管。”

    这种混合设计可以用于PC和智能手机等小型电子设备中，将改变芯片的基本设计。目前，设备的计算和存储功能是在不同芯片或同一芯片的不同部分完成的，数据需要在存储和计算功能之间传输，造成了计算时间和能耗的浪费。威廉斯说，记忆电阻器无需在存储芯片和逻辑芯片之间传输数据，指令被发送给存储有数据的电路，完成运算后输出结果。

    威廉斯预计，记忆电阻器存储芯片将于3年后问世，与闪存芯片相比，新型存储芯片容量更大、能耗更低、速度更快，“我们预计，记忆电阻器存储芯片将于未来3年后问世，存储容量是闪存芯片的逾2倍，速度快10倍”。

    威廉斯表示，他希望同时完成运行和存储功能的记忆电阻器芯片能于2015年之后问世。

    市场研究公司Enderle Group分析师罗布·恩德勒(Rob Enderle)称，记忆电阻器可能成为游戏规则改变者，“如果惠普能以合理的价格及时推出产品，将改变个人电子产品产业的格局”。

    市场研究公司Gartner分析师马丁·雷诺兹(Martin Reynolds)说，记忆电阻器将极大地改变闪存产业，“惠普预计记忆电阻器芯片将于2013年问世，将迅速地蚕食闪存芯片的市场。存储成本将不断下降。采用记忆电阻器芯片的设备尺寸将更小，功能将更强大”。

    奥兹指出，记忆电阻器芯片有相当大的优势。记忆电阻器芯片比闪存芯片小7至9倍，意味着设备在更小的空间中可以提供更大的存储容量，“记忆电阻器芯片将催生3D互联网等新技术的问世。与目前的设备相比，采用记忆电阻器芯片的设备将有很大不同之处。首先其尺寸更小，其次可以产生更真实的视觉体验。它们具有与其尺寸不相称的处理能力，生成内容的速度足够快，提高虚拟体验的逼真度。

    威廉斯表示，由于惠普本身并非是芯片厂商，因此将与多家芯片厂商就其新芯片设计展开合作。但威廉斯没有披露参与记忆电阻器项目的芯片厂商。

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