英特尔中国建厂计划获美政府批准，2010年投产

    3月26日消息，据国外媒体报道，来自知情人士的消息称，英特尔在中国投资建厂的计划已经获得了美国政府的批准。据预计，该工厂有望于2010年投产。

    据美国《电子工程时报》报道，英特尔CEO欧德宁（ Paul Otellini）今日（周一）将在人民大会堂举行记者招待会。届时，预计欧德宁将正式宣布该消息。

    本月14日有报道称，中国国家发改委已批准英特尔在大连建芯片工厂的计划，英特尔将投资25亿美元在大连建立一座12英寸硅晶圆工厂，基于300毫米、90纳米制造工艺。

    目前，英特尔在中国已设有封装和测试工厂。但此次计划成立的是一座制造工厂，投资额相对较大。目前，英特尔只在美国、爱尔兰和以色列设有这样的工厂。

    300毫米芯片是当今芯片市场最先进的技术，此前曾有分析师认为，英特尔的建厂计划可能受到美国政府的阻挠。如果英特尔今日正式宣布该消息，那么很可能是获得了美商务部的一次性授权，允许英特尔将制造技术，连同制造设备一起运往中国。

    今年1月12日，《印度时报》率先传出消息，称英特尔将在中国成立一家大型制造工厂，从事多内核处理器生产工作。这将是英特尔在亚洲地区的首家大型制造工厂。

    英特尔于1985年进入中国市场，目前在中国的雇员数量为6000多人，分布在中国的16座城市，从事组装、测试、研发和销售等工作。投资额已超过10亿美元。

    由于中国市场的重要地位，英特尔去年年底还宣布，从2007年起将中国设立为独立的营销区域。      
 

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