三星开发成功4Gbit闪存，将主要用于3G手机

   【日经BP社报道】韩国三星电子日前宣布，开发成功了存储容量达4Gbit的“OneNAND”型闪存EEPROM。设想主要应用于“支持多媒体的第三代手机”（三星）。OneNAND是由NAND型闪存EEPROM、DRAM及逻辑电路在一个芯片上集成而成的。

　　4Gbit的容量是通过利用MCP（多芯片封装）技术、集成了4个1Gbit OneNAND型芯片（该公司2004年11月使用90nm技术开发）而实现的。为OneNAND型在一个封装内实现的最大容量。普通NAND型闪存方面，该公司已于2004年9月使用60nm技术开发成功了8Gbit容量的存储器。

　　此次的存储器除容量大之外，还有以下几个特点：读取速度达108Mbit/秒，“为此前NAND型闪存EEPROM的4倍”（三星）；写入速度达10Mbit/秒，“速度在NAND型闪存EEPROM的60倍以上”（三星）；电源电压为＋1.8V，“与此前工作电压为＋3.3V的存储器相比，耗电量仅有其一般左右”（三星）。封装尺寸仅为11mm×13mm×1.4mm。计划从2005年7月开始量产供货。（记者：野泽 哲生）

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